GaAs（砷化镓）等化合物半导体用于高频器件。使用现有的金刚石刀片对化合物半导体进行刀片切割时，进给速度慢，难以获得高生产率。随着高度集成化的趋势，基于SiP（System in Package）等技术的高强度薄芯片制造技术已成为必要。然而，使用刀片切割，随着晶片厚度变薄，切割难度增加。

应用于高速逻辑元器件绝缘膜的Low-k膜，因其机械强度低，若使用普通的刀片进行切割加工，会发生Low-k膜剥落的风险。这种通过激光去除Low-k膜以及相应配线层的加工，就是激光开槽工艺。

隐形切割是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法。